 |
Вы находитесь здесь: dace.ru / Новости химии / Простой синтез компонентов для солнечных батарей
Архивы новостей:
2008 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2009 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2010 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2011 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2012 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2013 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2014 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2015 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2016 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2017 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2018 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2019 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2020 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2021 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2022 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2023 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2024 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2025 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2026 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
Простой синтез компонентов для солнечных батарей
Одна из главных задач, которую решают инженеры, стремящиеся добиться максимальной эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую – предотвращение рекомбинации свободных зарядов, образующихся при взаимодействии электромагнитного излучения с солнечной батареей.
Один из способов решения этой задачи – создание в солнечной батарее гетероперехода между полупроводниками, различающимися типом проводимости (электронной или дырочной). Такой тип гетероперехода позволяет электронам и дыркам, образовавшимся в результате взаимодействия света с солнечной панелью, покидать солнечную батарею, двигаясь в противоположных направлениях через границу раздела фаз гетероперехода.
В группе Минюн Хана (Mingyong Han) разработан новый способ получения высококачественных наноразмерных гетеропереходов, что, в будущем, позволит разработать более эффективные фотогальванические устройства.
Наноразмерные кристаллы полупроводника обеспечивают повышенную площадь поверхности для поглощения света, их производство обходится дешевле, чем обычное производство солнечных батарей с помощью литографических методов. Однако для таких структур очень сложно получить высококачественный гетеропереход между n- и p-типами полупроводника, такой переход в идеале должен обеспечивать максимальный контакт между двумя типами полупроводников.
Исследователи пришли к выводу, что образование гетероперехода должно осуществляться химическим путем. Ранее уже были получены бинарные сферические нанокристаллы, построенные по принципу ядро-оболочка, однако, к сожалению, гетеропереход таких нанокристаллов характеризуется низким коэффициентом полезного действия, поскольку свет с трудом проникал к ядру системы. Хан с соавторами решил преодолеть проблему, избрав другой метод синтеза нанокомпозита.
На первом этапе исследователи использовали смесь поверхностно-активных веществ, получив с ее помощью сульфид смешанновалентной меди (CuxS), хорошо известный полупроводник p-типа, в форме четких однородных шестиугольных пластин шириной около 40 нанометров и толщиной около 15 нанометров. Правильная форма частиц из сульфида меди позволила использовать их в качестве центров нуклеации на внешних гранях шестиугольников сульфида кадмия (CdS) – типичного полупроводника n-типа.
На следующем этапе с помощью процесса катионного обмена исследователи добились того, что кристаллы n-полупроводника росли «внутрь», в результате чего часть CuxS превращались в CdS. Хан утверждает, что образующиеся в результате катионного обмена нано-гетероструктуры сохраняли морфологию исходного материала. Оптимизация условий реакции позволила исследователям превратить шестиугольную нанопластину в идеально симметричный гетеропереход (см. изображение выше).
Хан уверен, что гетероструктура CuxS–CdS может применяться в изготовлении солнечных батарей благодаря наличию доступной для света поверхности и энергетической зоны, позволяющей добиться разделения заряда. Исследователи полагают, что новая методика one-pot окажется полезной для синтеза и других полупроводниковых пар.
Источник: J. Am. Chem. Soc., 2011, 133 (7), 2052; DOI: 10.1021/ja1090589
Источник: http://www.chemport.ru
19.08.2011 21:08 | |
|
