 |
Вы находитесь здесь: dace.ru / Новости химии / Фотоэлементом может стать любой полупроводник
Архивы новостей:
2008 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2009 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2010 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2011 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2012 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2013 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2014 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2015 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2016 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2017 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2018 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2019 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2020 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2021 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2022 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2023 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2024 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2025 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
2026 год:
январь, февраль, март, апрель, май, июнь, июль, август, сентябрь, октябрь, ноябрь, декабрь
Фотоэлементом может стать любой полупроводник
Исследователи из Национальной лаборатории имени Лоуренса в Беркли (США) разработали технологию, позволяющую создавать фотоэлементы почти из любого известного полупроводника, что потенциально может привести к лавинообразному снижению стоимости солнечных батарей.
Среди новых возможных материалов для фотоэлементов фигурируют недорогие оксиды металлов, сульфиды и фосфиды, ранее считавшиеся непригодными для этой роли.
Современные фотоэлементы высокой эффективности самостоятельно базируются на полупроводниках, эффективно поглощающих фотоны и испускающих при этом электроны. Они бывают кремниевые либо тонкоплёночные из теллурида кадмия или на базе индия и галлия. Кристаллический кремний дорог; об стальных элементах можно сказать только то, что они редки и ещё дороже. Хотя нет, они ещё и ядовиты, а их утилизация очень сложна.
Не секрет, что именно цена, несмотря на своё примерно десятикратное снижение за последнее десятилетие, всё ещё остаётся основным фактором, не позволяющим фотоэлементам эффективно конкурировать с тепловой энергетикой.
Новая технология называется «Фильтрующие фотоэлементы на полевом эффекте» (SFPV), поскольку использует воздействие электрического поля на полупроводник, при котором количество носителей заряда в полупроводнике резко возрастает. Частично фильтрующий верхний электрод позволяет электрическому полю затвора в достаточной степени проникать в электрод, более однородно регулировать концентрацию носителей заряда в полупроводнике и вызывать p-n-переход. Это приводит к образованию высокоэффективных p-n-переходов, недостижимых методом обычного химического допирования.
«Нашей технологии нужен единственный электрод и затвор; она не нуждается в высокотемпературном химическом допировании, внедрении ионов или других дорогостоящих процессах», — подчёркивает ведущий разработчик Уильям Риган.
Авторы поработали с двумя архитектурами фотоэлемента: тип А (на основе оксида меди), с контактами электрода, выполненными в виде тонких «ножек», и тип В (на основе кремния), с контактами в виде одноатомного слоя графена. В обоих случаях с р-n-переходом всё было хорошо.
Кроме того, и это особенно важно, исследователям удалось продемонстрировать конфигурацию с автономной подпиткой затвора, где электрическое поле, позволяющее использовать в фотоэлементе почти любые проводники, питалось от энергии, вырабатываемой самим фотоэлементом. В таких фотоэлементах, как и в обычных, не понадобятся внешние источники электрического поля, что упростит их применение.
Источник: http://science.compulenta.ru 28.07.2012 13:21 | |
|